[9p-N101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[9p-N101-13] 高圧熱処理による高濃度MgドープGaNの活性化

〇金武 凜樹¹、川村 史朗²、宮川 仁²、遊佐 斉²、山田 直臣¹ (1.中部大院工、2.物材機構)

キーワード：

GaN : Mg、縦型デバイス、高圧