講演情報
[9p-N101-14]深紫外光透過性p型オーミックコンタクト層の実現に向けたp-AlGaNにおけるマグネシウムアニールプロセスの開発
〇陸 順1、柴田 一翔2、久志本 真希2、出来 真斗3、本田 善央1,3,4、天野 浩1,3,4 (1.名大IMaSS、2.名大院工、3.名大D-center、4.名大高等研究院)
キーワード：
UV-LED、AlGaN、オーミックコンタクト
近年、AlGaN系紫外線（UV）LEDは水浄化などの様々な分野における応用の可能性から大きな注目を集めている。高いEQEを備えた理想的なUV-LEDを実現するためには、p-AlGaN上のUV光透過型コンタクト層が不可欠である。この目的を達成するため、本研究では「マグネシウムアニールプロセス」と呼ばれる手法を開発した。Al組成比60%のp-AlGaN上において、UV光透過性オーム性コンタクト層が実現された。本成果は、理想的なAlGaN系UV-LEDの製造プロセスへ道を開くものであると考えられる。