[9p-N101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[9p-N101-16] 窒化物系赤色LEDの高効率化に向けた低温成長p-GaN上のコンタクト特性評価

〇大場 勇輝¹、二宮 立輝¹、榊原 愛¹、木下 実乃里¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、丹羽 一将²、鈴木 敦志² (1.名城大学、2.E&E エボリューション（株）)

キーワード：

低温成長p-GaN、接触抵抗

本研究では、低温成長p-GaN上の電極形成における学術的ボトルネックの抽出を目的に、Cp₂Mg濃度を変化させた低温成長p-GaN上へNi/APC電極を成膜し、C-TLM測定とI-V測定を行った。Cp₂Mg流量増加により低温成長p-GaN上の接触抵抗は低減したが、それでも通常の高温成長p-GaNと比べて3〜5桁高く、低温成長p-GaNのコンタクト形成にはMg活性化率の低下や結晶品質劣化などが関与している可能性があり、低温成長特有の本質的な課題が残ることが示唆された。