[9p-N101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:15 〜 14:30

[9p-N101-4] 高AlNモル分率AlGaN混晶の室温発光寿命と空孔型欠陥に関する考察

〇秩父 重英¹、菅野 杜之¹、竹久 哲平²、廣田 晴大²、齋藤 義樹³、上殿 明良⁴、竹内 哲也² (1.東北大多元研、2.名城大理工、3.豊田合成、4.筑波大数物)

キーワード：

窒化物半導体、深紫外LED、AlGaN混晶

UVC帯AlGaN量子井戸(QW) LEDは殺菌･ウイルス不活化が可能な低環境負荷･省エネルギー小型固体光源として医療や水･空気の浄化に応用可能であり、高度情報通信や励起光源への応用に向けた高出力･高信頼性の両立が急務である。AlGaNの高品質化は四半世紀に渡り多くの機関が研究・開発してきたため改善が進んでいるが、波長240 nmを切ると内部量子効率の低下が著しいため、更なる理解が必要である。本講演では、MOVPE成長温度やAlNモル分率xを変化させたAl_xGa_1-xN混晶の室温バンド端発光寿命と陽電子消滅測定結果の相関について考察する。