[9p-N101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[9p-N101-5] 組成傾斜層導入による高Al組成AlGaNへのオーミック接触形成

〇安藤 陸¹、赤池 良太^1,2、安永 弘樹^2,3、前田 就彦⁴、三宅 秀人^1,2 (1.三重大 院工、2.半導体・デジタル未来創造センター、3.研究基盤推進機構、4.東京工科大学)

キーワード：

選択再成長、AlリッチAlGaN、透過型電子顕微鏡