[9p-N101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-N101-6] Naフラックス法における電気抵抗測定を用いたGa-Na融液中酸素量の温度依存性調査

〇上田 侃¹、今西 正幸¹、村上 航介¹、宇佐美 茂佳¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：

半導体、GaN結晶、Naフラックス法