講演情報
[9p-N101-7]酸素不純物誘起ファセット成長によるNaフラックスGaN結晶のインクルージョン抑制
〇西尾 元1、今西 正幸1、東山 律子1、植田 光寿1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
キーワード：
半導体、GaN結晶、Naフラックス法
Naフラックス法と酸化物気相成長（OVPE）法を組み合わせた高品質GaN厚膜結晶の作製を検討した。Naフラックス製GaN基板では、内部に取り込まれたGa-Na融液がOVPE成長時に破裂することが課題である。本研究では、Ga₂O₃添加により誘起されるファセット成長とインクルージョン形成の関係を調査した。その結果、基板内部にインクルージョンは確認されず、OVPE成長後も表裏両面で破裂は生じなかった。