講演情報

[9p-PA1-11]QCMによるAu, Cu基板上でのミストCVDアモルファスTiOx成膜初期のその場診断

〇白井 肇1、小林 史弥2、栗原 英紀3、山本 孔明4、何 海燕4、佐藤 知正2、松木 伸行2、大野 俊典4 (1.埼玉大学理工研、2.神奈川大工研、3.埼玉県産業技術総合センター、4.天谷製作所)

キーワード:

CVD、その場診断、アモルファス酸化チタン

ミスト CVD 法は大気圧下で酸化物薄膜形成技術として注目される.しかし成膜初期には液滴
吸着, 溶媒蒸発, 前駆体濃縮、Ti–O ネットワーク形成が同時進行するため, 成膜機構は十分に理解さ
れていない.我々は前回 9 MHz, 27 MHz QCM を用いたその場計測により, a-TiOx 成膜中に 4 つの粘
弾性ステージが存在し, 特に 27 MHz 測定では表面近傍で生じる非平衡粘弾性遷移を高感度に検出
できることを報告した.本研究では,成膜初期過程に及ぼす基板センサ材質(Au および Cu)の
影響に着目し,QCM 同時周波数・抵抗測定から得られる FR プロットを用いて非平衡粘弾性遷移と界面状態との関連を検討した.