[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-13] サファイア基板上Zn_1-xMg_xO薄膜のスパッタエピタキシー:膜厚制御された3D-MgOバッファ層の効果

〇大津山 裕生¹、野口 響¹、Sutadharma Jocelyn¹、奥村 賢直¹、鎌滝 晋礼¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シ情)

キーワード：

酸化物半導体、スパッタリング、エピタキシャル成長