[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-14] サファイア基板上Zn_1-xMg_xO薄膜のスパッタエピタキシー：ウルツ鉱型MgOバッファ/ZnO中間層による複合界面設計

〇(M2)野口 響生¹、大津山 裕生¹、鎌滝 晋礼¹、奥村 賢直¹、古閑 一憲¹、木山 治樹¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シ情)

キーワード：

酸化物半導体、スパッタリング、エピタキシャル成長