講演情報
[9p-PA1-16]仕込み濃度の異なる原料を用いてミストCVDで作製したIGZO薄膜の特性
〇渡邉 千晶1、大橋 亮介2、Hassan Sohaib2、Su Htet2、川原村 敏幸1,2,3 (1.高知工科大シス工、2.院工学研究科、3.総研)
キーワード：
IGZO、Mist CVD
ミストCVD法を用いて様々な組成のIGZO薄膜を作製し、原料の仕込み濃度比と成膜温度（200〜450℃）が薄膜特性へ与える影響を調査した研究である。In:Ga:Zn=4:3:2の条件では、200〜400℃においてアモルファス型成長が支配的となり高いIn組成（約50%）を維持したが、450℃では結晶化に伴いIn組成が大きく低下した。温度により薄膜の成長様式が変化することが示されている。