[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-17] ミストCVDによるPdCoOx薄膜の作製

〇吉田 龍馬¹、森岡 侑哉¹、水本 圭²、大橋 亮介²、Hassan Sohaib²、Su Htet²、川原村 敏幸^1,2,3 (1.高知工大シス工、2.院工学研究科、3.総研)

キーワード：

PdCoOx、ミストCVD

2 次元金属と絶縁体が交互に積層したPdCoO₂に代表される層状酸化物金属が新たな配線材料として注目されている。PdCoO₂は、Pd 層内での散乱が極めて少ないことに起因して、バルク金属を凌駕する高導電性を示す希有な酸化物であり、微細化しても抵抗増加が小さいという特長を持つ。本研究では、ミストCVDでのPdCoO₂薄膜の作製を試みた。