[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-18] ミストCVD法でc面サファイア基板上に成膜したGaO_x薄膜の結晶化挙動と光学特性の成膜温度・PDA温度依存性

〇(B)中嶋 颯良¹、山崎 伊織¹、榎 駿介¹、西川 未咲¹、小山 政俊¹、藤井 彰彦¹、前元 利彦¹ (1.大阪工大)

キーワード：

Ga2O3、ミストCVD、非晶質