[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-27] Ga₂O₃の相界面に関する第一原理計算

〇奈良 純¹、籾田 浩義^1,2、山崎 隆浩^1,2 (1.NIMS-MANA、2.阪大院工)

キーワード：

Ga2O3、ワイドギャップ半導体、相界面

Ga₂O₃は次世代ワイドギャップ半導体材料として精力的に研究が進められている。Ga₂O₃にはいくつかの相があることが報告されており、相の混在や、熱・圧力などの外的操作により相変態を起こすことが知られている。相の混在、相変態では必ず相界面が存在することになる。本研究では密度汎関数法に基づいた第一原理計算手法を用いて相界面の構造・電子状態や相界面の移動について調べた。