講演情報
[9p-PA1-37]真空紫外エキシマ光支援溶液プロセスにおける熱処理温度が多結晶In2O3 TFTの伝達特性に及ぼす影響
〇(M2)上田 一輝1、大谷 龍之介1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、前元 利彦1 (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)
キーワード：
酸化物半導体、薄膜トランジスタ、酸化インジウム
真空紫外エキシマ光支援溶液プロセスによりIn2O3薄膜TFTを作製し，熱処理温度が結晶性および伝達特性に及ぼす影響を調べた．温度上昇に伴い結晶性が向上し，450℃熱処理でOn/Off比2.0×107，電界効果移動度67 cm2/Vsを達成した．本結果は，高移動度酸化物TFT形成に対する本プロセスの有効性を示す．今後はGa添加により，キャリア濃度制御およびデバイス特性のさらなる改善を目指す．