[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-38] エキシマ光アシスト溶液プロセスによるInAl_xO_y酸化物薄膜の作製と結晶性制御

〇(M1)大谷 龍之介¹、上田 一輝¹、和田 英男¹、小山 政俊¹、藤井 彰彦¹、清水 昭宏²、前元 利彦¹ (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)

キーワード：

酸化物半導体、薄膜トランジスタ、溶液プロセス

エキシマ光アシスト溶液プロセスを用いてAl添加In₂O₃（InAl_xO_y）薄膜を作製し，結晶性制御について検討した。GI-XRD評価の結果，Al添加量の増加およびエキシマ光照射によりIn₂O₃由来回折ピーク強度が低下し，結晶成長が抑制される傾向を確認した。Al添加とエキシマ光アシストプロセスの組み合わせがIAO薄膜の結晶性制御に有効であることを示し，XPS解析およびTFT特性についても報告する。