[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-39] ミストCVD成長β-Ga₂O₃を用いたMESFETによる2.59 GHz発振器

池田 光¹、若松 岳¹、安藤 裕二²、高橋 英匡²、牧迫 隆太郎²、上田 哲三³、須田 淳²、田中 勝久¹、〇藤田 静雄¹、菅谷 英生³ (1.京大、2.名大、3.パナソニック)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD、高周波デバイス

ミストCVD成長n型β-Ga₂O₃を用いたMESFETを試作し、2.59 GHzによる発振特性を得た。詳細な特性は当日報告する。