[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-40] 極薄In₂O₃チャネルを用いた 酸化物積層薄膜トランジスタの作製と特性評価

〇(M2)高田 直希¹、藤元 章¹、和田 英男¹、小山 政俊¹、藤井 彰彦¹、前元 利彦¹ (1.大阪工大)

キーワード：

In2O3、薄膜トランジスタ、酸化物ヘテロ

酸化物半導体TFTの高移動度化と動作安定性の両立を目的として、極薄In₂O₃チャネル表面をZnOで制御したIn₂O₃/ZnO TFTを作製した。ZnO積層により電界効果移動度は約2倍に向上し、サブスレッショルド特性およびヒステリシス特性も改善した。これらの結果は、表面トラップや吸着種の影響を低減できることを示しており、高性能・高信頼性な酸化物TFTの実現に向けた有効な設計指針を与える成果である。