[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-45] Ga-Sn-Oを用いたMSM型紫外線センサのアニール温度依存性

〇(M1)中田 聖也¹、松田 時宜¹ (1.近大総理)

キーワード：

酸化物半導体、紫外線センサ、GTO

Ga-Sn-O（GTO）は、電子デバイスへの応用が期待される酸化物半導体である。本研究では、RFマグネトロンスパッタリング法により成膜したGTO薄膜に高温アニールを施し、MSM型紫外線センサを作製した。アニール温度がI-V特性およびPDCRに与える影響を評価するとともに、XPS分析結果との相関から特性変化の要因を検討した。その結果、アニール温度によってセンサ特性が大きく変化することを確認した。