[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-47] 両極性ワイドギャップ半導体γ-GeO₂のTSFZ法による単結晶育成に向けた相安定性の検討

〇石井 朝陽¹、八巻 和宏¹、入江 晃亘¹ (1.宇都宮大工)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、ルチル型二酸化ゲルマニウム、単結晶