[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-6] ミストCVD法 Snドープα-Ga₂O₃成長におけるHClの影響

〇西尾 宗真¹、飯田 隆真¹、石川 治樹¹、中鉢 陽向¹、照喜名 朝人¹、太田 知諭¹、相川 慎也¹、永井 裕己¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：

薄膜成長、ミストCVD、Ga2O3