[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-7] ギ酸を含む原料溶液を用いたミストCVD法によるSnO_x薄膜成長

〇田村 駿介¹、飯塚 太郎¹、石川 治樹¹、相川 慎也¹、永井 裕己¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：

酸化スズ、ミストCVD