[9p-PB3-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-PB3-1] 窒素リーク法を用いて成長した希薄窒化InGaAsN量子ドットの円偏光発光特性

〇森田 彩乃¹、木瀬 寛都¹、多川 英汰¹、高山 純一¹、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

量子ドット、希薄窒化物半導体、時間分解分光