セッション詳細
[9p-PB3-1~11]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2026年9月9日(水) 14:00 〜 15:30
PB3 (第2体育館)
[9p-PB3-1]窒素リーク法を用いて成長した希薄窒化InGaAsN量子ドットの円偏光発光特性
〇森田 彩乃1、木瀬 寛都1、多川 英汰1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
[9p-PB3-2]GaInNAs/GaNAs歪み補償系多重量子井戸構造の円偏光発光特性
〇宇津 和奏1、多川 英汰2、森田 彩乃2、酒井 風詩2、木瀬 寛都2、鈴木 悠馬2、高山 純一2、村山 明宏2、樋浦 諭志2 (1.北大工、2.北大院情報科学)
[9p-PB3-3]リモートSiドープ層をもつInGaAs量子ドットの発光特性
〇酒井 風詩1、森田 彩乃1、鈴木 悠馬1、木瀬 寛都1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
[9p-PB3-4]熱輻射発電応用に向けた第一原理計算によるGaSbN混晶の熱力学的安定性の評価
〇(M1)川原 啓翔1、久野 倭1、中村 徹哉2、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大工、2.宇宙機構)
[9p-PB3-5]高シート電子濃度および低シート抵抗を実現するメタモルフィックバッファ層上Al0.25In0.75Sb/InSbヘテロ構造
〇町田 龍人1、赤羽 浩一1、原 紳介1、笠松 章史1、渡邊 一世1 (1.情報通信研究機構)
[9p-PB3-6]希薄窒化物半導体InSbN薄膜のMBE成長と物性評価
〇寺前 航介1、曲渕 匠1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)
[9p-PB3-7]SnドープInSb薄膜のMBE成長および物性評価
〇曲渕 匠1、寺前 航介1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)
[9p-PB3-8]GaPNの発光特性に及ぼすSbサーファクタント効果の窒素濃度依存性
〇斎田 響1、八木 航哉1、長嶺 桃子1、矢口 裕之1、八木 修平1、高宮 健吾1、久野 倭2、山根 啓輔2 (1.埼玉大院理工、2.豊橋技科大)
[9p-PB3-9]III-V{111}配向量子もつれ光源に向けたGaAs(111)B ジャスト基板上GaAs/AlGaAs 分布ブラッグ反射鏡の成長
〇林 侑介1、大竹 晃浩1、間野 高明1 (1.物材機構)
[9p-PB3-10]深層学習を用いたエピタキシャル量子ドット成長時の
RHEEDパターン分類とその妥当性の検証
〇尾藤 圭1、尾崎 信彦1 (1.和歌山大シス工)
[9p-PB3-11]面発光広帯域光源に向けた分布ブラッグ反射鏡の開発
〇田中 海大1、新田 勇貴1、尾崎 信彦1 (1.和歌山大シス工)
