[9p-PB3-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-PB3-3] リモートSiドープ層をもつInGaAs量子ドットの発光特性

〇酒井 風詩¹、森田 彩乃¹、鈴木 悠馬¹、木瀬 寛都¹、高山 純一¹、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

量子ドット、フォトルミネッセンス、時間分解分光