[8a-E218-1~11]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2026年9月8日(火) 9:00 〜 12:00
E218 (総合教育棟 E棟)
座長：朝日 重雄(神戸大)、 樋浦 諭志(北大)
GaAsやGaN系の量子井戸、量子ドットなどの半導体ナノ構造や金属メッシュ構造を対象とした、テラヘルツ発生・検出、時間分解発光特性、スピン緩和。
セッション一覧（分科別）
13 半導体：13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
[8p-E218-1~12]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2026年9月8日(火) 13:30 〜 16:45
E218 (総合教育棟 E棟)
座長：中岡 俊裕(上智大)、 黒山 和幸(東大)
量子井戸、量子ドット、ナノワイヤなどの半導体ナノ構造を対象とした、発光特性、キャリアダイナミクス、デバイス作製・特性評価。
[9a-PA7-1~9]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2026年9月9日(水) 11:00 〜 12:30
PA7 (第1体育館)
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