2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

遷移金属ダイカルコゲナイドのヘテロ構造に由来する新規物性探索ならびにガスセンサ応用等の展開に加え、層状物質（SnS, InSe2, GeAs等)のプロセス技術、物性評価に関する最新研究成果の発表

グラフェン・hBN・ナノチューブ等に関する表面構造・物性評価と光電子・量子デバイス応用

遷移金属ダイカルコゲナイドを中心とした二次元物質の基礎物性と機能開拓。量子輸送、スピン・バレー物性、モアレ超格子、キャリア分布、ドーピング制御、構造変調などの理論・実験研究および、デバイス作製技術、異種界面の物性評価。

遷移金属ダイカルコゲナイドおよびそのヘテロ構造における光物性、層間励起子、モアレ励起子、ダークエキシトン、プラズモン結合系などの光学応答および、界面電子状態、バンドアライメント、積層秩序や短距離秩序の物性評価。