[10a-E203-1~11] 17.2 基礎物性 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.2 基礎物性

[10a-E203-1~11]17.2 基礎物性

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00

E203 (総合教育棟 E棟)

9:00 〜 9:15

[10a-E203-1]走査型トンネル顕微鏡を用いたカイラル単層カーボンナノチューブの構造・電子状態評価

〇草壁穏¹、藤浪博之²、草場哲²、嵐田雄介³、柳和宏²、田原弘量¹、片山郁文¹ (1.横国大院理工、2.都立大院理、3.筑波大数理)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-E203-2]AFMを用いた熱膨張場計測手法によるh-BNヒートスプレッダ評価

〇(M1)波多野雄也^1,2、渡辺賢司¹、谷口尚¹、森山悟士^1,2、岩切秀一¹ (1.NIMS、2.電機大工)

9:30 〜 9:45

[10a-E203-3]ファンデルワールスヘテロ接合における多重モアレ構造

〇菱田直人¹、瀬尾優太¹、川瀬仁平¹、中辻直斗²、川上拓人³、小野寺桃子¹、守谷頼¹、渡邊賢司⁴、谷口尚⁴、越野幹人⁵、町田友樹¹ (1.東大生研、2.Stony Brook大学、3.福島医大、4.NIMS、5.東大物性研)

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-E203-4]グラフェンPN接合を有するジョセフソン接合デバイスの
作製と電子輸送特性

〇(M1)長柄龍乃丞¹、藤井栞汰¹、河底颯生¹、谷口尚²、渡邊賢司²、樽茶清悟³、松尾貞茂¹ (1.科学大理、2.NIMS、3.Riken)

10:00 〜 10:15

[10a-E203-5]量子ホール状態の超伝導接合実現に向けた素子作製技術の開発

〇(M1)藤井栞汰¹、長柄龍乃丞¹、河底颯生¹、谷口尚²、渡邊賢司²、樽茶清悟³、松尾貞茂¹ (1.科学大理、2.NIMS、3.理研)

10:30 〜 10:45

[10a-E203-6]InGaAs-グラフェントランジスタ及びダイオードにおける近赤外光電流マッピング

〇福島昌一郎¹、嶋谷政彰¹、岩川学¹、小川新平¹ (1.三菱電機（株）)

10:45 〜 11:00

[10a-E203-7]時間分解表面ポテンシャル測定によるグラフェン上極性分子吸着の下地基板表面依存性の評価

〇(M1)伏尾元希¹、野内亮¹ (1.大阪公立大学)

11:00 〜 11:15

[10a-E203-8]単層グラフェンを透過する水素イオンの電荷状態と透過障壁

〇寺澤知潮^1,2、福谷克之^1,2、保田諭¹ (1.原研先端研、2.東大生研)

11:15 〜 11:30

[10a-E203-9]５員環炭素ネットワークの量子静電容量

〇(M1)橘実紀¹、丸山実那¹、高燕林¹、岡田晋¹ (1.筑波大数理)

11:30 〜 11:45英語発表

[10a-E203-10]Band-edge localization in large-diameter double-walled boron nitride nanotubes

〇(D)Nadia Sultana¹, Yanlin Gao¹, Mina Maruyama¹, Susumu Okada¹ (1.Univ. of Tsukuba)

11:45 〜 12:00

[10a-E203-11]二層六方晶窒化硼素層間分極の層間結晶配向依存

丸山実那¹、Sultana Nadia¹、高燕林¹、〇岡田晋¹ (1.筑波大数理)

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