講演情報
[15a-PA5-6]Cat-CVD装置で生成した水素ラジカルによるTOPCon構造のパッシベーション性能改善
〇(M1C)YIN DUANYI1、前田 健作1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
キーワード：
TOPCon、Cat-CVD
TOPCon構造のパッシベーション性能向上を目的として、Cat-CVD装置で生成した水素ラジカルを用いた処理における基板温度の影響を検討した。基板温度を変化させて処理を行った結果、基板温度の上昇に伴い実効少数キャリア寿命が増加し、パッシベーション性能が向上する傾向が確認された。本結果は、基板温度が水素ラジカル処理によるパッシベーション効果に重要な役割を果たすことを示している。今後のTOPCon太陽電池の性能向上に寄与する可能性がある。