講演情報
[15p-W9_323-11]3DMEMSデバイス設計による電場・磁場誘起フレデリクス転移と液晶の熱拡散率
〇(M1)矢ヶ崎 潤1、劉 芽久哉1、原口 浩志1、荒岡 史人2、森川 淳子1 (1.東京科学大、2.理化学研究所)
キーワード：
熱拡散率、フレデリクス転移、液晶
液晶分子は、電場や磁場などの外部刺激に対して高い応答性を示し、分子配向に応じて熱物性が変化することも報告されている。しかし、従来手法では分子配向を制御した状態で熱拡散率を評価することは困難であった。そこで本研究では、電圧印加下において熱拡散率測定が可能なデバイスを作製し、高誘電率液晶 ZOC-A019XX のフレデリクス転移に伴う熱拡散率の電圧および磁場依存性を、TWA法により測定した。