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[15p-WL1_201-6]低速蒸着法によるDNTT薄膜成膜過程における分子動力学シミュレーションを用いた分子線源に関する考察

〇廣芝 伸哉1、小島 広孝2 (1.大阪工大、2.舞鶴高専)

キーワード:

DNTT、MDシミュレーション、低速蒸着法

有機半導体DNTTの低速蒸着法では、臨界核サイズが2分子という特異な核形成を示す。本研究では、この要因が蒸着源の低温状態に伴う飛来分子の状態にあると仮定し、MDシミュレーションで蒸発過程を解析した。DNTTヘリンボーン構造の分子塊モデルを用い、700 K以上で分子の飛散を確認したが、いずれの温度でも単分子としての放出が支配的であった。本発表では、低速蒸着下における分子線源の動的挙動について詳細に議論する。