講演情報
[16a-PA1-5]共晶ハイエントロピー合金NbScTiZrにおける臨界電流密度の温度依存性
〇(M2)上田 遥翔1、西嵜 照和1,2、末吉 哲郎1,2、関 武留3、北川 二郎3、加藤 勝4、野島 勉5、淡路 智5、佐々木 孝彦5 (1.九産大院工、2.九産大理工、3.福工大工、4.大阪公大工、5.東北大金研)
キーワード：
超伝導、共晶ハイエントロピー合金、臨界電流密度
共晶ハイエントロピー合金NbScTiZrのピン止め機構について議論するために臨界電流密度Jcの温度依存性について調べた．共晶組織が粗大化したTan > 800℃ のJc(t) は，比較的大きなピン止め中心によるδTcピン止めモデルで良く記述できたが，Tan < 500℃ のJc(t) は，δTcとδlピン止めモデルの間に位置し，両方の寄与を考慮したモデルと一致した．