講演情報
[16a-PA2-2]Mg2Si基板上におけるAg拡散挙動の微細構造観察と評価
〇関口 英紘1、武井 日出人1、勝俣 響1、島野 航輔1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大工)
キーワード：
シリサイド半導体、熱拡散
低価格な短波長赤外（SWIR）センサの開発を目指し、Mg₂Si基板におけるAgの熱拡散挙動を調査した研究です 。n型単結晶基板にAgを成膜し、350〜450℃で熱処理を行った結果、温度や膜厚に依存して表面の微細構造が変化することが判明しました 。特に450℃の処理ではSiの析出やMg-Ag合金の形成が確認されており、高解像度なイメージセンサ実現に不可欠な熱拡散プロセスの制御に向けた知見を得ています 。