[16a-PA2-1~6] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-PA2-6] ハイスループット計算による三元系・四元系カルコパイライト型半導体のバンドギャップ評価

〇三木田 大毅¹、野田 祐輔^1,2 (1.九工大院情報工、2.九工大DS・AI研究センター)

キーワード：

半導体、密度汎関数理論、高スループット計算

光デバイスやエネルギー変換材料として有望なカルコパイライト型半導体について、DFTに基づくハイスループット第一原理計算で三元系・四元系の派生構造（空孔あり・なし）のバンドギャップ（E_g）を評価した。電気的中性を満たす1000件の結晶構造モデルをサンプリングし、MgGa₂S₄（E_g=2.60 eV）およびBeMg₄Ga₂S₈（E_g=2.38 eV）など比較的大きいバンドギャップを示す候補を抽出した。