[16a-PA5-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[16a-PA5-1] Germanium-on-Nothing構造から剥離転写した単結晶Ge膜の顕微Raman分光マッピング評価

〇(D)范 文博¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大学)

キーワード：

ゲルマニウム、基板再利用、コスト低減

Germanium-on-Nothing (GON)基板再利用法は、III-V族太陽電池の低コスト化、軽量化、フレキシブル化に貢献できる技術として注目されている。本研究では、GON構造から剥離転写したGe膜の結晶性と応力分布を顕微Raman分光マッピングにより評価した。局所的な欠陥が観察されたが、広い平坦領域では顕著な応力分布は認められず、高品質な単結晶Ge薄膜が得られた。また、これらの欠陥は剥離転写の際に生じた可能性が高く、プロセス改善の重要性が示された。