[16a-S2_201-1~13] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

10:15 〜 10:30

[16a-S2_201-6] エピタキシャルFe_3+xSi_1-x薄膜/Siの結晶構造因子制御による横ゼーベック係数増大とその機構の解明

〇北浦 怜旺奈¹、寺田 吏¹、石部 貴史^1,2、山内 邦彦³、小口 多美夫³、水口 将輝⁴、中村 芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.阪大CSRN、4.名大未来研)

キーワード：

熱電材料、シリサイド