講演情報
[16a-W8E_308-2]InP 基板上 MgSe/ZnCdSe 共鳴トンネルダイオードにおける非対称構造の理論検討
〇茂木 英介1、野村 一郎1 (1.上智大理工)
キーワード：
II-VI族化合物半導体
InP上MgSe/ZnCdSe RTDに対し、組成制御を要する障壁高さ非対称型に代わり、作製容易な障壁厚非対称型を提案した。理論解析の結果、エミッター側障壁を薄くすることでピーク電流密度(Jp)1066kA/cm2、ピークバレー電流比(PVR)9.5が得られた。これは障壁高さ非対称型と同等かつ対称型を大幅に上回る値であり、簡便な構造制御による高性能化の可能性が示された。