講演情報
[16p-M_124-15]真空乾燥法と貧溶媒法で作製したSnF2フリースズペロブスカイト薄膜の物性比較
〇(D)原田 布由樹1、梁瀬 歩輝1、中村 智也1、Truong Minh-Anh1、Murdey Richard1、若宮 淳志1 (1.京大化研)
キーワード：
ペロブスカイト太陽電池、スズペロブスカイト太陽電池、真空乾燥法
従来、スズペロブスカイト薄膜の作製に用いられる貧溶媒法では、半導体のp 型ドーピングを抑制するためにSnF2を添加剤として用いる必要がある。当研究室では、酸化力を有するDMSO溶媒を使用しない独自の成膜法として、真空乾燥法を開発している。本研究では、貧溶媒法と真空乾燥法を用いてSnF2フリースズペロブスカイト薄膜を作製し、成膜手法の違いがスズペロブスカイト薄膜の物性に与える影響を蛍光特性や欠陥密度の観点から調べた。