[16p-M_124-1~16] 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

15:45 〜 16:00

[16p-M_124-7] フラーレンの侵入挙動およびハロゲンイオン移動に起因するペロブスカイト太陽電池の電子収集に有利なバンド曲がりの形成

〇戸崎 椋太¹、岩澤 柾人²、赤塚 有杜¹、吉田 弘幸^1,3 (1.千葉大院工、2.日産化学、3.千葉大MCRC)

キーワード：

ペロブスカイト太陽電池、フラーレン

逆型ペロブスカイト太陽電池の電子収集層において、C₆₀などのフラーレン誘導体が高いPCEを示す要因を明らかにするため、電子親和力の近いC₆₀とPTCDAのMAPbI3への侵入挙動と界面構造を比較した。GCIB-SIMSとSEMより、C₆₀がより速く侵入すること、C₆₀試料においてI⁻イオンが表面へ偏析し、Iリッチ層が形成されることを見出した。C₆₀の侵入とハロゲンイオン移動がバンド曲がりを形成し、電子収集特性の向上に寄与すると考えられる。