講演情報
[16p-PB1-12]電解酸化によるアニリン誘導体のアモルファス炭素薄膜への表面修飾とその特性評価
〇平西 美穂1、長島 捷悟1、ヘルナンデス ホセ1、青井 芳史1 (1.龍谷大先端理工)
キーワード：
パルスレーザー堆積法、表面修飾、電気化学
本研究では、アニリン誘導体の電解酸化を用いたa-C薄膜への表面修飾において、分子構造が及ぼす影響を検討した。4-ABA、4-APPを用いたCV・EQCM測定の結果、両者とも酸化を経て表面結合することが確認されたが、CVから求めたカチオンラジカルの総分子数に対する、EQCMにより求めた表面に結合した分子数の比率は4-ABAが36.3%に対し4-APPは6.3%と低い値を示した。これより、4-APPではアルキル鎖に起因する立体障害により、多層化を抑制することが明らかとなった。