[16p-W9_323-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

14:00 〜 14:15

[16p-W9_323-5] Ag-Cu置換による新規シリサイド半導体Ba₂Ag_1-xCu_xSi₃薄膜の合成と特性評価

〇篠原 大河¹、梶原 君円¹、幸田 陽一朗²、召田 雅実²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

キーワード：

熱電変換、環境調和型材料、シリサイド半導体