[16p-WL2_201-1~10] 3.10 フォトニック構造・現象

14:15 〜 14:30

[16p-WL2_201-4] GaN系三角格子フォトニック結晶レーザーに関する検討

〇十鳥 雅弘¹、野木 朔太郎¹、北村 篤史¹、小泉 朋朗^3,1、江本 渓^3,1、増山 知輝^3,1、山口 誠太^3,1、井上 卓也¹、石崎 賢司¹、吉田 昌宏¹、勝野 峻平²、De Zoysa Menaka¹、野田 進^2,1 (1.京大院工、2.京大高等研究院、3.スタンレー電気)

キーワード：

フォトニック結晶レーザー

青色波長帯で作動するGaN系フォトニック結晶レーザー（PCSEL）は、これまで主に正方格子構造を用いて開発が進められてきた。しかし、正方格子はTE偏光において直交方向への直接結合が生じず、特にGaN系では2次元結合が弱くなる傾向があった。これに対し、三角格子は基本波が直交しないため2次元方向の結合が強く、発振に有利な特性を持つ。本報告では、三角格子向けに時間依存結合波理論を展開し、GaN系三角格子PCSELの数値解析を行うとともに、実際にデバイスを試作・評価した結果について述べる。