[16p-WL2_401-1~15] 9.4 熱電変換

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[16p-WL2_401-8] エピタキシャルMg₃(Sb, Bi)₂薄膜の作製と熱伝導率評価

〇鮎川 瞭仁¹、栗山 武流¹、根城 虹希¹、岩下 智洋¹、山下 雄一郎²、鵜殿 治彦¹、坂根 駿也¹ (1.茨城大工、2.産総研)

キーワード：

熱電材料、Mg3(Sb、Bi)2、エピタキシャル成長

近年、室温付近で高い熱電特性を有するMg₃(Sb, Bi)₂系材料が注目を集めている。単一化合物となるMg₃Sb₂及びMg₃Bi₂に対し、Mg₃(Sb, Bi)₂混晶系ではフォノンの合金散乱効果による熱伝導率低減が期待されるが、エピタキシャル薄膜においては未検証である。本研究では、分子線エピタキシー法を用いたMg₃(Sb, Bi)₂混晶薄膜の作製と、その結晶構造及び熱電特性評価を目的とした。