[17a-W9_323-1~7] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

10:00 〜 10:15

[17a-W9_323-3] Rb₂CsC₆₀超伝導バルクの粒間臨界電流密度

〇長谷川 弘樹^1,2、伊豫 彰²、荻野 拓²、永崎 洋²、石田 茂之²、川島 健司^3,2、西尾 太一郎¹、村山 真理子¹ (1.東理大、2.産総研、3.イムラジャパン)

キーワード：

超伝導バルク、臨界電流密度

前回の応用物理学会(2025年秋)で、Rb₃C₆₀焼結バルクの粒間電流密度を大量・高速に合成する方法を用いて評価し、その内容について報告した。現在、フラーレン系超伝導体ではCsのドープ体が最も高い超伝導転移温度Tcを持つとされている。今回、高T_c・H_c2及び高い粒間電流密度の獲得を目的としてRb₃C₆₀にCsを置換した。本講演では、この置換によって得られたこれらのパラメータや、高J_cを得るための合成条件最適化、Rb₃C₆₀との結果の比較を報告する。