[17a-W9_326-1~12] 3.5 超高速・高強度レーザー

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[17a-W9_326-1] アモルファスSiにおける高次高調波発生の第一原理計算 (II)

〇(D)具志堅 英雄¹、乙部 智仁^1,2、Hashmi Arqum¹、谷 水城^1,2、山田 俊介²、石川 顕一¹ (1.東大院工、2.QST関西研)

キーワード：

高次高調波発生、時間依存密度汎関数理論、TDDFT、アモルファスシリコン

アモルファスSiの高次高調波発生(HHG)を、時間依存密度汎関数理論に基づくオープンソース計算プログラムSALMONを用いて調べた。単結晶Siの場合のHHGと比較したところ、バンドギャップエネルギーを超える高次領域ではスペクトル強度が抑制されることがわかった。また、マルチプラトー構造が形成され、液相HHGとの類似点があることがわかった。