[17a-WL2_401-1~11] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[17a-WL2_401-10] シリコンフォトニクス電流注入型光-電-光変換デバイスの動作評価

〇荒畑 雅也^1,2、北 翔太^1,2、新家 昭彦^1,2、角倉 久史^1,2、納富 雅也^1,2 (1.NTTﾅﾉﾌｫﾄﾆｸｽｾﾝﾀ、2.NTT物性研)

キーワード：

光電融合演算回路、光-電-光変換デバイス、シリコンフォトニクス

シリコンフォトニクス光電融合演算回路の実現に向けて、高ゲインおよび消光比回復のための電流注入型OEO変換デバイスの動作特性の評価を行った。前回報告した負荷抵抗型のデバイスと比較し、10倍以上のRF動作時のゲインを持つことを確認した。さらに、デバイスの高い非線形性により入力光の消光比回復が可能であることを明らかにした。