講演情報
[17p-M_178-7]複素環式化合物によるMoS2へのドーピング濃度の置換基依存性
〇(M1)鈴木 啄也1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
キーワード：
ドーピング、遷移金属ダイカルコゲナイド
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、原子層レベルの層状構造を有する二次元半導体であり、半導体デバイスの小型化およびそれに伴う特性の向上が期待されている。一方で、デバイス応用に向けては、ドーピング量を微量に制御することが難しいという課題が存在する。そこで我々は、TMDC表面への分子集積により生じる表面電荷移動を利用したドーピング手法に着目し、電子供与量を化学構造によって制御可能であるかを検討している。今回、異なる置換基を持つ複素環式化合物によるドーピング効果の変化を評価するため、各溶液処理をしたMoS₂デバイスの電気特性測定を行い比較を行った。