講演情報
[17p-M_278-12]強誘電体BiFeO3上への半導体型カーボンナノチューブ電極の作製と光起電力効果
〇新居 潤哉1、籠林 慶己1、中嶋 誠二1、藤井 俊治郎1、大坂 藍1、藤沢 浩訓1 (1.兵庫県大工)
キーワード：
強誘電体薄膜、カーボンナノチューブ、光起電力効果
強誘電体におけるバルク光起電力効果は、pn接合型太陽電池を凌ぐ変換効率の実現が期待されている。我々はMnドープBiFeO3(BFMO)薄膜のバルク光起電力効果(BPVE)により、80 Kで852 Vの高電圧の発生が可能であることを報告した。しかし、この方法では起電流が少ないという問題点が存在する1)。これを改善するため高い光吸収係数と電気伝導性をもつ低次元物質であるカーボンナノチューブ(CNT)を電極として用いることが有効であると考えられる。特に半導体型CNTを用いることで、金属型と半導体型が未分離のCNTよりも半導体型CNT/BFO界面のバンド構造に起因するキャリア生成が期待できる。これを踏まえ、本研究では強誘電体BFMO薄膜上への半導体型CNT電極形成を検討し、その光起電力効果を未分離型と比較、評価したので報告する。