[17p-PA6-1~17] 13.8 光物性・発光デバイス

[17p-PA6-13] 価電子帯分裂の利用によるGaNAsフォトダイオードの偏光検出特性向上

〇峯山 大輝¹、田中 壱¹、大見 健琉²、中間 海音³、橋本 英季³、峰久 恵輔³、高山 純一¹、石川 史太郎³、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学、2.北大工学部、3.北大量子集積)

キーワード：

希薄窒化物半導体、フォトダイオード、偏光