講演情報
[17p-PB4-3]斜入射反応性スパッタリング法により作製した微細構造化CuO薄膜の結晶成長プロセス
〇(B)小沢 一颯1、井上 泰志1、高井 治2 (1.千葉工大工、2.表面・超原子研)
キーワード：
CuO薄膜、微細構造、反応性スパッタリング
本研究は斜入射反応性スパッタリング法により成膜時間の異なる微細構造化CuO薄膜を作製し，結晶成長プロセスを調査することを目的とした．成膜時間200分試料では緻密な柱状構造，300分試料では斜入射堆積膜特有の離散的柱状構造が観察された．成膜初期では斜入射堆積法による自己遮蔽効果が十分に発現せず，柱状晶の離散性が低い膜構造となったと考えられる．